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Title:
無電解めっきに使用するための高分子組成物、無電解めっきの方法、および無電解めっきによって作製された高分子物品
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2022552971
Kind Code:
A
Abstract:
無電解めっき用組成物であって、9~29重量パーセント、9.7~29重量パーセント、または10~29重量パーセントの第1のグラフトゴム共重合体であって、重合した形態の少なくとも1種の共役ジエン単量体と少なくとも1種のモノビニル芳香族単量体とを含む第1のグラフトゴム共重合体、70~90重量パーセント、好ましくは70~89.7重量パーセント、より好ましくは70~85重量パーセントのグラフトされていないスチレン重合体、0.1~10重量パーセントの、100~500ナノメートル(nm)の粒径を有するコア/シェル型ジエン系ゴム、0.1~5重量パーセントの総量の、安定剤および/または酸化防止剤の1種以上、0.1~2重量パーセントの量の脂肪酸または脂肪酸の塩、0~5重量パーセントの離型剤、0~1重量パーセントの金属酸化物、0~3重量パーセントの滑剤、ならびに0~20重量パーセントのポリカーボネートを含み、重量パーセントおよびppmが該組成物の総重量に基づくものである、無電解めっき用組成物。該組成物は、該組成物の上に無電解めっきされた金属コーティングを有する物品に形成することができる。

Inventors:
Wang, Chen
Stephen Taylor
Zyou, bottle
Eshenauer, Geoffrey
Gallucci, Robert Russell
Shu, Jiang Hoa
Application Number:
JP2022522313A
Publication Date:
December 21, 2022
Filing Date:
October 12, 2020
Export Citation:
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Assignee:
SABIC Global Technologies Vesloten Fennote Shap
International Classes:
C08L55/02; C08L25/12; C08L51/04; C23C18/24; C23C28/00; C25D5/12; C25D7/00
Attorney, Agent or Firm:
Hiroshi Higuchi