Title:
炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021508661
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、シラン源としてジメチルジクロロシラン（ＤＭＳ）を用いる化学気相堆積法でグラファイト基板上に炭化ケイ素（ＳｉＣ）を堆積させることによりＳｉＣコーティング体を製造するための新規のプロセスに関する。本発明のさらなる態様は、本発明の新規のプロセスによって得ることができる新規の炭化ケイ素コーティング体、ならびに高温用途のための物品、サセプタおよびリアクタ、半導体材料、ならびにウエハを製造するためのその使用に関する。【選択図】なし
Inventors:
Gercio, Peter Jay.
Westfal, Paul
Westfal, Paul
Application Number:
JP2020535649A
Publication Date:
March 11, 2021
Filing Date:
December 22, 2018
Export Citation:
Assignee:
APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
International Classes:
C01B32/963; C01B32/21; C23C16/42
Domestic Patent References:
| JP2000302577A | 2000-10-31 | |||
| JP2002003285A | 2002-01-09 | |||
| JPS4983706A | 1974-08-12 | |||
| JPS62205278A | 1987-09-09 |
Foreign References:
| WO2016121642A1 | 2016-08-04 |
Attorney, Agent or Firm:
Sonoda/Kobayashi Patent Business Corporation