Title:
ＲｅＲＡＭメモリの層の製造方法および注入機の使用
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2019517131
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、ＲｅＲＡＭメモリの層の製造方法および注入機の使用に関する。本発明によれば、ＲｅＲＡＭメモリを製造するため、ＴＭＯ層を所望の順番で電極上に施し、これに関し、少なくとも１つのＴＭＯ層にイオン注入機により、イオン、例えば酸素イオンが打ち込まれ、これによりこのＴＭＯ層内へのイオンの取り込みが引き起こされる。
Inventors:
Borowski Rene
Kim Wonju
Lana Vicas
Verser Liner
Kim Wonju
Lana Vicas
Verser Liner
Application Number:
JP2018551925A
Publication Date:
June 20, 2019
Filing Date:
March 31, 2017
Export Citation:
Assignee:
Forschungszentrum Jürich Gesellschaft Mitt Beschlenktel Haftung
International Classes:
H01L21/8239; H01L27/105; H01L45/00; H01L49/00
Attorney, Agent or Firm:
Mitsufumi Esaki
Blacksmith
Katsunori Uenishi
Ichiro Torayama
Blacksmith
Katsunori Uenishi
Ichiro Torayama