Title:
反射型光電陰極
Document Type and Number:
Japanese Patent JP4229500
Kind Code:
B2
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Inventors:
Takeshi Tachibana
Yoshihiro Yokota
Kazushi Hayashi
Yoshihiro Yokota
Kazushi Hayashi
Application Number:
JP31815498A
Publication Date:
February 25, 2009
Filing Date:
November 09, 1998
Export Citation:
Assignee:
KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO
International Classes:
H01J1/34; H01J1/30; H01J40/06
Domestic Patent References:
| JP1148791A | ||||
| JP6068840A | ||||
| JP8259388A | ||||
| JP10144251A | ||||
| JP10149761A | ||||
| JP10223131A | ||||
| JP10236898A |
Other References:
F. J. Himpsel et al.,Quantum photoyield of daiamond (111) - A stable negative-affinity emitter,Physical Review B,1979年 7月15日,Vol. 20, No. 2,pp. 624-627
K. Kobayashi, K. Nishimura, Y. Kawate, T. Horiuchi,Synthesis of diamonds by use of microwave plasma chemical-vapor deposition: Morphology and growth of,Physical Review B,1988年 8月15日,Vol. 38, No. 6,pp. 4067-4084
B. R. Stoner, J. T. Glass,Textured diamond growth on (100)β-SiC via microwave plasma chemical vapor deposition,Applied Physics Letters,1992年 2月10日,Vol. 60, No. 6,pp. 698-700
S. D. Wolter et al.,Textured growth of diamond on silicon via in situ carburization and bias-enhanced nucleation,Applied Physics Letters,1993年 3月15日,Vol. 62, No. 11,pp. 1215-1217
末定剛、中村直文、川原田洋,Si基板上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の作製,NEW DIAMOND,株式会社オーム社,1995年 4月25日,第37号(第11巻第2号),第13ページから第20ページまで
K. Ohtsuka, K. Suzuki, A. Sawabe, T. Inuzuka,Epitaxial Growth of Diamond on Iridium,Japanese Journal of Applied Physics,1996年 8月15日,Vol. 35, Part 2, No. 8B,pp. L1072-L1074
新垣実、広畑徹、鈴木智子、山田正美、菅博文、竹内純一、昼馬輝夫,水素終端された多結晶ダイヤモンド薄膜からの光電子放出,第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集,1997年10月,第527ページ
橘武史、横田嘉宏、林和志、小橋宏司、吉本護,Pt(111)/サファイヤ(0001)上のダイヤモンド成長,第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集,1998年 9月,No. 2,p.484
K. Kobayashi, K. Nishimura, Y. Kawate, T. Horiuchi,Synthesis of diamonds by use of microwave plasma chemical-vapor deposition: Morphology and growth of,Physical Review B,1988年 8月15日,Vol. 38, No. 6,pp. 4067-4084
B. R. Stoner, J. T. Glass,Textured diamond growth on (100)β-SiC via microwave plasma chemical vapor deposition,Applied Physics Letters,1992年 2月10日,Vol. 60, No. 6,pp. 698-700
S. D. Wolter et al.,Textured growth of diamond on silicon via in situ carburization and bias-enhanced nucleation,Applied Physics Letters,1993年 3月15日,Vol. 62, No. 11,pp. 1215-1217
末定剛、中村直文、川原田洋,Si基板上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の作製,NEW DIAMOND,株式会社オーム社,1995年 4月25日,第37号(第11巻第2号),第13ページから第20ページまで
K. Ohtsuka, K. Suzuki, A. Sawabe, T. Inuzuka,Epitaxial Growth of Diamond on Iridium,Japanese Journal of Applied Physics,1996年 8月15日,Vol. 35, Part 2, No. 8B,pp. L1072-L1074
新垣実、広畑徹、鈴木智子、山田正美、菅博文、竹内純一、昼馬輝夫,水素終端された多結晶ダイヤモンド薄膜からの光電子放出,第58回応用物理学会学術講演会講演予稿集,1997年10月,第527ページ
橘武史、横田嘉宏、林和志、小橋宏司、吉本護,Pt(111)/サファイヤ(0001)上のダイヤモンド成長,第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集,1998年 9月,No. 2,p.484
Attorney, Agent or Firm:
Masanori Fujimaki