Title:
レジスト材料及びパターン形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024055780
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】ポジ型であってもネガ型であっても、高感度であり、ＬＷＲやＣＤＵが改善されたレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】ハロゲン原子又はハロゲン原子含有基で置換された炭素数５～２０の芳香族カルボン酸アニオンと下記式（１）で表されるスルホニウムカチオンとからなるスルホニウム塩を含むクエンチャーを含むレジスト材料。TIFF2024055780000183.tif3894【選択図】なし
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Inventors:
Jun Hatakeyama
Tatsuya Yamahira
Noriyuki Fujiwara
Yuki Suda
Tatsuya Yamahira
Noriyuki Fujiwara
Yuki Suda
Application Number:
JP2023149283A
Publication Date:
April 18, 2024
Filing Date:
September 14, 2023
Export Citation:
Assignee:
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
International Classes:
G03F7/004; C08F212/14; C08F220/18; G03F7/038; G03F7/039; G03F7/20
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Eimei International Patent Office