Title:
抵抗変化型メモリ（ＲＲＡＭ）セルフィラメントを形成するためのマルチステップ電圧
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2019511803
Kind Code:
A
Abstract:
メモリデバイス及び方法は、第１の導電性電極と第２の導電性電極との間に配設され、第１の導電性電極及び第２の導電性電極と電気的に接続している金属酸化物材料と、正しいテンポで離間された複数の電圧パルスを第１の電極と第２の電極との間に印加するように構成されている電圧源と、を含む。電圧パルスの各々に関して、電圧の振幅が、電圧パルスの間増加する。
Inventors:
Jou Feng
Liu Shan
Tran Hugh Van
Nguyen Hung Quoc
Donyan
Latency mark
Changer
Thin Pen One
Rogue-chan
Liu Shan
Tran Hugh Van
Nguyen Hung Quoc
Donyan
Latency mark
Changer
Thin Pen One
Rogue-chan
Application Number:
JP2018544244A
Publication Date:
April 25, 2019
Filing Date:
February 10, 2017
Export Citation:
Assignee:
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
International Classes:
G11C13/00; H01L21/8239; H01L27/105; H01L45/00; H01L49/00
Domestic Patent References:
| JP2014075170A | 2014-04-24 | |||
| JP2012027997A | 2012-02-09 | |||
| JP2011198430A | 2011-10-06 | |||
| JP2011204297A | 2011-10-13 |
Foreign References:
| US8976568B1 | 2015-03-10 | |||
| US20070115714A1 | 2007-05-24 | |||
| US20130301337A1 | 2013-11-14 | |||
| US20100067290A1 | 2010-03-18 | |||
| US20140071734A1 | 2014-03-13 | |||
| US20120026778A1 | 2012-02-02 | |||
| US20110235401A1 | 2011-09-29 | |||
| WO2013170214A2 | 2013-11-14 |
Attorney, Agent or Firm:
Shinichiro Tanaka
Disciple Maru Ken
▲吉▼田 和彦
Fumiaki Otsuka
Takaki Nishijima
Hiroyuki Suda
Hiroshi Uesugi
Naoki Kondo
Takeo Nasu
Disciple Maru Ken
▲吉▼田 和彦
Fumiaki Otsuka
Takaki Nishijima
Hiroyuki Suda
Hiroshi Uesugi
Naoki Kondo
Takeo Nasu