Title:
異なる構成を有する同じレベルのＭＲＡＭスタック
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024509595
Kind Code:
A
Abstract:
半導体デバイスが提供される。半導体デバイスは、ベース層と、ベース層上に形成された第１のＭＲＡＭデバイスと、ベース層上に形成された第２のＭＲＡＭデバイスとを含む。第１のＭＲＡＭデバイスは、第２のＭＲＡＭデバイスとは異なる性能特性を有する。
Inventors:
Mignot, Yang
van der Straten, Oscar
Haussameddin, Dimitri
van der Straten, Oscar
Haussameddin, Dimitri
Application Number:
JP2023555365A
Publication Date:
March 04, 2024
Filing Date:
March 07, 2022
Export Citation:
Assignee:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
International Classes:
H10B61/00; H10N50/10; H10N50/80
Attorney, Agent or Firm:
Tadashi Taneichi
Tadahiko Kataoka
Patent Attorney Corporation MIP
Tadahiko Kataoka
Patent Attorney Corporation MIP