Title:
半導体装置および消去方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7181984
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】 ＩＳＰＥによるメモリセルの劣化速度を緩和することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、メモリセルアレイと、メモリセルアレイの選択されたブロックを消去する消去手段とを有する。消去手段は、選択ブロックを第１および第２の消去ベリファイＥＶ１、ＥＶ２を行い、第１の消去ベリファイＥＶ１が合格でありかつ第２の消去ベリファイＥＶ２が不合格である場合には、前回と同じ消去電圧の消去パルスを印加し、第１の消去ベリファイＥＶ１が不合格である場合には、前回よりも１ステップ電圧だけ高い消去パルスを印加する。【選択図】 図７
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Inventors:
Yano Masaru
Toshiaki Takeshita
Toshiaki Takeshita
Application Number:
JP2021199805A
Publication Date:
December 01, 2022
Filing Date:
December 09, 2021
Export Citation:
Assignee:
Winbond Electronics Corporation
International Classes:
G11C16/34; G11C16/04
Domestic Patent References:
| JP2014059945A | 2014-04-03 | |||
| JP2002025283A | 2002-01-25 | |||
| JPH07312093A | 1995-11-28 |
Attorney, Agent or Firm:
Kyozo Katayose
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