Title:
半導体装置およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024001723
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、トレンチＴＲの下部に形成されたフィールドプレート電極ＦＰと、トレンチＴＲの上部に形成されたゲート電極ＧＥとを備える。フィールドプレート電極ＦＰの一部は、コンタクト部ＦＰａを成す。コンタクト部ＦＰａは、領域２Ａ側のゲート電極ＧＥと領域２Ａ’側のゲート電極ＧＥとの間の位置するトレンチＴＲの内部において、トレンチＴＲの下部だけでなく、トレンチＴＲの上部にも形成されている。ゲート電極ＧＥは、コンタクト部ＦＰａが形成されているトレンチＴＲの内部において、領域２Ａ側のゲート電極ＧＥと領域２Ａ’側のゲート電極ＧＥとを接続する連結部ＧＥａを含む。【選択図】図３
Inventors:
Yuya Abiko
Takahiro Maruyama
Takahiro Maruyama
Application Number:
JP2022100574A
Publication Date:
January 10, 2024
Filing Date:
June 22, 2022
Export Citation:
Assignee:
Renesas Electronics Corporation
International Classes:
H01L29/06; H01L21/336; H01L29/739; H01L29/78
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Tsutsui International Patent Office
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