Title:
半導体素子およびその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024012345
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】化合物半導体材料を保護し、信頼性の低下を抑えることが可能な半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本開示の一実施の形態に係る半導体素子は、２次元配置された複数の受光単位領域を含む中央部の素子領域および素子領域の外側の周辺領域が設けられた素子基板と、素子基板に対向する読出回路基板とを備え、素子基板は、素子領域に設けられ、化合物半導体材料を含む第１半導体層と、第１半導体層と読出回路基板との間に設けられ、第１半導体層と読出回路基板とを電気的に接続する配線層と、素子領域および周辺領域にわたって設けられ、周辺領域において第１半導体層を囲む埋込層と、第１半導体層と配線層との間に設けられ、第１半導体層に電気的に接続された第１電極と、埋込層と第１半導体層との間に設けられ、第１電極および第１半導体層を覆う第３パッシベーション膜とを含み、素子基板の周辺領域は、読出回路基板との接合面を有する。【選択図】図１６
Inventors:
Ryosuke Matsumoto
Application Number:
JP2023180546A
Publication Date:
January 30, 2024
Filing Date:
October 19, 2023
Export Citation:
Assignee:
Sony Semiconductor Solutions Corporation
International Classes:
H01L27/146; H01L27/144; H01L31/10; H04N25/70; H04N25/704; H04N25/705
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Tsubasa International Patent Office