Title:
半導体装置および半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024058718
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】トランジスタ部及びダイオード部を備える半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０に設けられた第１導電型のドリフト領域１８と、半導体基板の裏面に設けられた第２導電型のコレクタ領域２２と、半導体基板の裏面に設けられ、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第１導電型のカソード領域８２と、半導体基板のおもて面２１に設けられた複数のトレンチ部３０と、半導体基板に設けられ、キャリアの再結合中心であるライフタイムキラーを含むライフタイム制御部１５０と、を備える。ライフタイム制御部は、ダイオード部８０に設けられた主領域１５６と、主領域から半導体基板のおもて面と平行な方向に延伸して設けられ、主領域よりもライフタイムキラー濃度が減衰した減衰領域１５７と、を有する。【選択図】図２Ａ
Inventors:
Atsushi Katakawa
Kaname Mitsuka
Yuki Oda
Toru Shirakawa
Kaname Mitsuka
Yuki Oda
Toru Shirakawa
Application Number:
JP2022165979A
Publication Date:
April 30, 2024
Filing Date:
October 17, 2022
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/336; H01L21/8234; H01L29/12; H01L29/739; H01L29/78; H01L29/861
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation RYUKA International Patent Office
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