Title:
Semiconductor device
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6154976
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。【解決手段】絶縁表面上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が引っ張り応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物元素が導入され、絶縁表面上に設けられたｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が圧縮応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物が導入されている。【選択図】図６
Inventors:
Tatsuya Arao
Application Number:
JP2017045566A
Publication Date:
June 28, 2017
Filing Date:
March 10, 2017
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/28; H01L21/3205; H01L21/336; H01L21/768; H01L21/8234; H01L21/8238; H01L23/532; H01L27/088; H01L27/092; H01L29/786
Domestic Patent References:
| JP2016122850A | 2016-07-07 | |||
| JP2001109394A | 2001-04-20 | |||
| JP2001094112A | 2001-04-06 | |||
| JP2000353811A | 2000-12-19 | |||
| JP2000276076A | 2000-10-06 | |||
| JP2000196093A | 2000-07-14 | |||
| JPH1195687A | 1999-04-09 |