Title:
半導体装置及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6438181
Kind Code:
B1
Abstract:
半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体チップにおけるバンプを有する第１面に第１保護膜を備えているか、又は半導体チップにおける前記第１面とは反対側の第２面に第２保護膜を備えている、保護膜付き半導体チップを作製することと、この保護膜付き半導体チップが、バンプを介して基板に接合された積層構造体を作製することと、を含み；この保護膜付き半導体チップの作製では、第１保護膜は、このバンプの上部が第１保護膜を貫通して突出するよう形成され；第１保護膜又は第２保護膜は、この積層構造体のせん断強度比が１．０５〜２となり破断危険因子が−０．９〜０．９となる特性を有する保護膜である、半導体装置の製造方法。
Inventors:
Masanori Yamagishi
Application Number:
JP2018548936A
Publication Date:
December 12, 2018
Filing Date:
May 15, 2018
Export Citation:
Assignee:
LINTEC CORPORATION
International Classes:
H01L23/29; H01L21/60; H01L23/31
Domestic Patent References:
| JP2000012611A | 2000-01-14 | |||
| JP2002270634A | 2002-09-20 |
Attorney, Agent or Firm:
Nishizawa Kazumi
Mitsunaga Igarashi
Hiroyuki Kato
Mitsunaga Igarashi
Hiroyuki Kato
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