Title:
半導体材料、それを用いた太陽電池、およびそれらの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5110593
Kind Code:
B2
Abstract:
A method for producing a semiconductor material, comprises a step of allowing impurity atoms, Ba atoms and Si atoms to react with each other, the impurity atoms being at least one atom selected from the group consisting of As atom, Sb atom, Bi atom and N atom; and a solar cell comprises the semiconductor material.
Inventors:
Takashi Suemasu
Application Number:
JP2008218688A
Publication Date:
December 26, 2012
Filing Date:
August 27, 2008
Export Citation:
Assignee:
University of Tsukuba
International Classes:
C01B33/06; H01L31/042
Domestic Patent References:
| JP2005503025A | ||||
| JP5335610A | ||||
| JP10189924A | ||||
| JP2005311256A | ||||
| JP2004356163A | ||||
| JP2002246622A | ||||
| JP2002128591A |
Other References:
末益崇,シリサイド半導体の最新動向-新世代オプトエレクトロニクス材料-第6章 シリサイド半導体の応用,機能材料,2005年 9月 5日,Vol.25, No.10,p.54-60
末益崇 他,多元系シリサイドの新展開-半導体BaSi2を例に-,応用物理,2007年 3月10日,Vol.76, No.3,p.264-268
末益崇 他,新しい太陽電池材料を目指した半導体BaSi2へのSr添加によるバンドギャップエンジニアリング,電気学会全国大会講演論文集,2006年 3月15日,Vol.2006, No.2,P.130
末益崇 他,多元系シリサイドの新展開-半導体BaSi2を例に-,応用物理,2007年 3月10日,Vol.76, No.3,p.264-268
末益崇 他,新しい太陽電池材料を目指した半導体BaSi2へのSr添加によるバンドギャップエンジニアリング,電気学会全国大会講演論文集,2006年 3月15日,Vol.2006, No.2,P.130
Attorney, Agent or Firm:
Shuhei Katayama