Title:
半導体リン化物注入合成システム及び制御方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024500256
Kind Code:
A
Abstract:
半導体リン化物製造の技術分野に属し、炉体と、昇降機構によって炉体の上方に設けられる遮蔽収容箱と、遮蔽収容箱内に設けられるリン源キャリアと、リン源キャリアの下方に設けられる注入管と、炉体内の底部に併設される坩堝とを含み、前記リン源キャリアはリン源キャリアの本体及びリン源キャリアの上蓋と、リン源キャリアの本体内の底部に設けられる発熱体座と、発熱体座に設けられる発熱体とを含み、リン源キャリアの外壁が断熱層に包み込まれ、断熱層と遮蔽収容箱の内壁の間に誘導コイルが設けられる、半導体リン化物注入合成システム及び制御方法である。装置と方法自体を改良することにより、システムの安定性を向上させることができ、合成システムでの定量的合成が可能となり、リン源キャリア爆発のリスクが低減している。【選択図】 図１
Inventors:
Sun Nie Feng
Wang Shujie
Keishu Liu
grandson same age
Wang Shujie
Keishu Liu
grandson same age
Application Number:
JP2022556470A
Publication Date:
January 09, 2024
Filing Date:
July 05, 2021
Export Citation:
Assignee:
THE 13TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION
International Classes:
C01B25/08; F27B14/08; F27D3/16
Attorney, Agent or Firm:
Taro Yaguchi