Title:
半導体センサ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5737655
Kind Code:
B2
Inventors:
Nakajima Ari
Application Number:
JP2011155178A
Publication Date:
June 17, 2015
Filing Date:
July 13, 2011
Export Citation:
Assignee:
Hiroshima University
International Classes:
G01N27/414
Domestic Patent References:
| JP8278281A | ||||
| JP2006222279A | ||||
| JP2006220513A | ||||
| JP2003507889A |
Foreign References:
| WO2005108966A1 |
Other References:
T.Takashi, A.Nakajima, et al,Fabrication of Si Nanowire Field-Effect Transistor for Highly Sensitive, Label-Free Biosensing,Japanese Journal of Applied Physics,日本,2009年,Vol.48 ,06FJ04-1~06FJ04-4
K Ohkura,T Kitade and A nakajima,Periodic Coulomb oscillations in Si single-electron transistor based on multiple island,Journal of Applied Physics,2005年,Vol.98,124503-1~124503-6
大倉健作 北出哲也 中島安理,多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流,電子情報通信学会技術研究報告,日本,2007年 1月25日,信学技報 Vol.106 No.521,79~82
K Ohkura,T Kitade and A nakajima,Periodic Coulomb oscillations in Si single-electron transistor based on multiple island,Journal of Applied Physics,2005年,Vol.98,124503-1~124503-6
大倉健作 北出哲也 中島安理,多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流,電子情報通信学会技術研究報告,日本,2007年 1月25日,信学技報 Vol.106 No.521,79~82
Attorney, Agent or Firm:
Kimura Mitsuru
Wataru Suetsugu
Hiro Tsuru
Takanori Mamoru
Wataru Suetsugu
Hiro Tsuru
Takanori Mamoru