Title:
Semiconductor storage device and readout method
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6356837
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】 読出しデータの正誤を検証する検証回路を備えた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明のフラッシュメモリは、列選択信号ＹＳに基づきページバッファ１０に保持された読出しデータからｎビットのデータを選択し、選択したデータをｎビットのデータバス４０上に出力する列選択回路と、活性化信号ＳＡＥに応答してデータバス４０上のｎビットのデータをセンスする差動センスアンプ３０と、外部から供給されるシリアルクロック信号ＳＣＬＫに同期したクロック信号ＰＳＣＣＬＫに応答して差動センスアンプ３０によりセンスされたｎビットのデータからｍビットのデータを選択し、選択されたｍビットのデータを出力端子から出力させる出力回路６０と、差動センスアンプ３０Ａによりセンスされたデータと、出力回路６０から出力されるデータとを比較し、読出しデータの正誤を検証する検証回路１００とを含む。【選択図】 図４
Inventors:
Kojima Hidemitsu
Application Number:
JP2017003785A
Publication Date:
July 11, 2018
Filing Date:
January 13, 2017
Export Citation:
Assignee:
Winbond Electronics Corporation
International Classes:
G11C16/26; G11C7/10; G11C16/04; G11C29/50
Domestic Patent References:
| JP2004062389A | ||||
| JP2005116122A | ||||
| JP6239078B2 |
Attorney, Agent or Firm:
Kyozo Katayose