ＳｉＧｅ積層薄膜それを用いた赤外線センサ

Title:

ＳｉＧｅ積層薄膜それを用いた赤外線センサ

Document Type and Number:

Japanese Patent JPWO2011135975

Kind Code:

A1

Abstract:

基板１上に、Ｓｉ層とＧｅ層が少なくとも各１層以上交互に積層したＳｉＧｅ積層薄膜において、Ｓｉ層３１およびＧｅ層２２の厚さがそれぞれ５〜５００ｎｍの範囲内にある。Ｓｉ層３１はアモルファスであり、Ｇｅ層２２のみが結晶化している。Ｇｅ層２２中のＧｅの平均的な結晶子サイズが２０ｎｍ以下である。

Inventors:

Shoji Seno
Shin Nakamura
Tsutomu Yoshitake
Furukawa Akio

Application Number:

JP2012512742A

Publication Date:

July 18, 2013

Filing Date:

March 25, 2011

Export Citation:

Assignee:

NEC
Tokyo University of Science

International Classes:

H01L37/00; G01J1/02; H01C7/04

Domestic Patent References:

Foreign References:

WO2001069690A1

2001-09-20

Attorney, Agent or Firm:

Kenho Ikeda
Shuichi Fukuda
Takashi Sasaki

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