サイドゲート型半導体－超伝導体ハイブリッドデバイス

Japanese Patent JP2023523680

A

サイドゲート型半導体－超伝導体ハイブリッドデバイスを提供する。一態様は、基板（３１０）、基板（３１０）上に配置された第１の半導体素子（３１２）、第１の半導体素子とエネルギー準位混成が可能なように配置された超伝導体素子（３１６）、第１の半導体素子をゲーティングするためのゲート電極として配置された第２の半導体素子（３２１ａ）を含む半導体－超伝導体ハイブリッドデバイスを提供する。別の態様は、基板、基板上に配置された半導体素子、半導体素子をゲーティングするためのゲート電極、及び半導体素子とのエネルギー準位混成を行うことができる超伝導体素子を含む半導体－超伝導体ハイブリッドデバイスを提供する。ゲート電極は、基板のチャネル内に配置される。また、半導体－超伝導体ハイブリッドデバイスを製造する方法も提供される。

JP7326394	Systems and methods for superconducting devices used in superconducting circuits and scalable computing
JP2023116447	RESONATOR, OSCILLATOR AND QUANTUM CALCULATOR
JP2023511925	Additive control of qubits to enable time- and frequency-domain multiplexing

Quintero Perez, Marina
Van Welkom, David, Johannes
Sinni Vinay, Kumar
Shin, Amrita

JP2022553006A

June 07, 2023

March 31, 2020

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Microsoft Technology Licensing, LLC

H10N60/10

Tadashige Ito
Tadahiko Ito
Osamu Miyazaki

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