Title:
窒化シリコン膜及びその製造方法、並びにその製造装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015079938
Kind Code:
A1
Abstract:
【課題】有機シランを原料とし、プラズマＣＶＤ法によって形成される窒化シリコン膜のシリコン原子と窒素原子含有量に対する炭素原子及び／又は水素原子含有量比を軽減でき、電気特性等の膜質向上を図ることが可能な方法を提供する。【解決手段】本発明の１つの窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法を用いて、有機シランとともに、水素及びアンモニアの群から選択される少なくとも１種の添加ガスをプラズマ化することにより形成する。この窒化シリコン膜中における、シリコン原子含有量と窒素原子含有量とを合わせたものを１としたときの炭素原子含有量比が０．８未満である。また、この窒化シリコン膜中における、シリコン原子含有量と窒素原子含有量とを合わせたものを１としたときの水素原子含有量比が０．９未満である。該窒化シリコン膜によれば、リーク電流の低減等の特性が改善されることになるため、該窒化シリコン膜を備えたる各種のデバイスの信頼性の向上を実現することができる。
Inventors:
Shoichi Murakami
Hatashita Akiho
High Yoshi
Masaya Yamawaki
Hatashita Akiho
High Yoshi
Masaya Yamawaki
Application Number:
JP2015550644A
Publication Date:
March 16, 2017
Filing Date:
November 17, 2014
Export Citation:
Assignee:
spp Technologies Co., Ltd.
Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd.
Taiyo Nippon Sanso Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/318; C23C16/42; C23C16/509; H01L21/31
Domestic Patent References:
| JP2007273094A | 2007-10-18 | |||
| JP2004356595A | 2004-12-16 | |||
| JPH07106256A | 1995-04-21 | |||
| JPH0459971A | 1992-02-26 | |||
| JPH0982705A | 1997-03-28 | |||
| JPH06132284A | 1994-05-13 |
Foreign References:
| US20060045986A1 | 2006-03-02 |
Other References:
KANJI YASUI, 外2名: "Silicon nitride films grown by hydrogen radical enhanced chemical vapor deposition utilizing trisdim", JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, vol. 169, JPN6018021781, 1994, pages 301 - 305, ISSN: 0003895506
W. A. LANFORD AND M. J. RAND: "The hydrogen content of plasma-deposited silicon nitride", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 49, no. 4, JPN7018003466, April 1978 (1978-04-01), pages 2473 - 2477, XP000676179, ISSN: 0003895507, DOI: 10.1063/1.325095
K. NAKAZAWA, 外4名: "NMR and IR Studies on Hydrogenated Amorphous Si1-xCx Films", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 21, no. 3, JPN6018039621, March 1982 (1982-03-01), pages 176 - 178, ISSN: 0003895508
W. A. LANFORD AND M. J. RAND: "The hydrogen content of plasma-deposited silicon nitride", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 49, no. 4, JPN7018003466, April 1978 (1978-04-01), pages 2473 - 2477, XP000676179, ISSN: 0003895507, DOI: 10.1063/1.325095
K. NAKAZAWA, 外4名: "NMR and IR Studies on Hydrogenated Amorphous Si1-xCx Films", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 21, no. 3, JPN6018039621, March 1982 (1982-03-01), pages 176 - 178, ISSN: 0003895508
Attorney, Agent or Firm:
Hiroaki Kono