Title:
クロスポイントメモリアレイ内のセレクタの閾値下電圧形成
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6968304
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】クロスポイントメモリアレイなどのメモリデバイス内のセレクタをフォーミングするための装置及び技術を提供する。【解決手段】ストレージノードを含むメモリアレイにおいて、閾値スイッチングセレクタは、ストレージノード内の抵抗スイッチングメモリセルと直列である。アレイ内での第１のスイッチング動作より前に、セレクタを、初期閾値電圧を有する初期状態から、より低い動作閾値電圧を有する動作状態に変換するために、刺激がストレージノードに印加される。刺激は、動作閾値電圧を超えない電圧を有する信号を含むことができる。ピーク電流消費を制限するために、刺激は、アレイの異なるサブセットに１サブセットずつ印加することができる。【選択図】図８Ａ
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Inventors:
Yukam Jiun
Application Number:
JP2021022716A
Publication Date:
November 17, 2021
Filing Date:
February 16, 2021
Export Citation:
Assignee:
SanDisk Technologies LLC
International Classes:
G11C13/00
Domestic Patent References:
| JP2007501519A |
Foreign References:
| WO2019198410A1 |
Attorney, Agent or Firm:
Kaiyu International Patent Office