面発光レーザおよびその製造方法

Japanese Patent JP2024031539

A

【課題】小型かつ高速・低消費電力で、温度変化や高出力動作時においても、安定して動作する面発光レーザとその製造方法を提供すること。【解決手段】本実施形態の面発光レーザは、基板上に、下部半導体ＤＢＲ層と、活性層と、垂直方向に光出射するための酸化開口部を形成する酸化狭窄層と、上部半導体ＤＢＲ層と、前記酸化開口部を含み、前記酸化開口部より広い領域の結合共振開口部を形成する横方向伝搬反射層と、前記上部半導体ＤＢＲ層側から数えて第１層目の層厚が光学波長の略１／２の厚みである誘電体ＤＢＲ層と、を有する。【選択図】図１

JP2010283251	SEMICONDUCTOR ARTIFICIAL MOLECULE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
JP4167812	Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method
JP2022163121	OPTICAL MEMBER, LASER MODULE AND LASER DEVICE INCLUDING OPTICAL MEMBER

Fumio Koyama
Akatsuki winter

JP2022135176A

March 07, 2024

August 26, 2022

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National University Corporation Tokyo Institute of Technology

H01S5/183

Kenki Morishita
Yusuke Murata
Tomoyoshi Miki
Taiki Maya

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