Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
スイッチ素子および記憶装置ならびにメモリシステム
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2019198410
Kind Code:
A1
Abstract:
本開示の一実施形態のスイッチ素子は、第１電極と、第１電極と対向配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられると共に、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）から選ばれる少なくとも１種のカルコゲン元素を含むスイッチ層とを備え、第１電極および第２電極の少なくとも一方は、炭素（Ｃ）と共に、添加元素としてゲルマニウム（Ｇｅ）、リン（Ｐ）およびヒ素（Ａｓ）のうちの少なくとも１種を含んでいる。

More Like This:
JP7010741Magnetic storage device
JP6965760Magnetic wall moving type magnetic recording element
JP6777364Switching of perpendicularly magnetized nanomagnets by spin-orbit torque in the absence of external magnetic field
Inventors:
Kazuhiro Oba
Kiyohiro
Shuichiro Yasuda
Application Number:
JP2020513129A
Publication Date:
May 20, 2021
Filing Date:
March 14, 2019
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
Sony Semiconductor Solutions Corporation
International Classes:
H01L21/8239; G11C13/00; H01L27/105; H01L45/00
Attorney, Agent or Firm:
Patent Business Corporation Tsubasa International Patent Office



 
Previous Patent: 植物用照明器具及び植物用照明装置

Next Patent: 電気的刺激装置用の電極