Title:
試験測定装置及び方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024019118
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】MOSFETの特性を正確に測定する。【解決手段】試験測定装置は、ユーザ・インタフェースと、MOSFETを含む被試験デバイスに接続するように構成された１つ以上のプローブと、１つ以上のプロセッサとを有し、１つ以上のプロセッサが、MOSFETの両端間で測定される目標電圧を設定し、MOSFETに強制電圧を印加し、MOSFETのドレイン電流及びドレイン電圧を１つ以上のプローブで測定し、測定されたドレイン電圧と目標電圧との差が閾値を満たすかどうかを判断し、その差が上記閾値を満たさない場合に、測定されたドレイン電圧、測定されたドレイン電流及び負荷抵抗を用いて、負荷抵抗を補償する新たな強制電圧値を決定し、強制電圧を上記新しい強制電圧の値に設定し、必要に応じて、印加するステップ、測定するステップ及び判断するステップを繰り返す処理を１つ以上のプロセッサに行わせるプログラムを実行するよう構成される。【選択図】図８
Inventors:
Alexander N. Pronin
mary ann tapta
andrew alan shetler
mary ann tapta
andrew alan shetler
Application Number:
JP2023122505A
Publication Date:
February 08, 2024
Filing Date:
July 27, 2023
Export Citation:
Assignee:
Keithley Instruments,LLC
International Classes:
G01R31/26
Attorney, Agent or Firm:
Hiroshi Arafune
Yoshio Arafune
Yoshio Arafune