Title:
炭化ケイ素単結晶成長の熱場調整方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7305818
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】炭化ケイ素単結晶成長の熱場調整方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、（Ａ）炭化ケイ素源を選別して黒鉛るつぼの底部に充填するステップと、（Ｂ）ガイドを前記黒鉛るつぼ内に入れるステップと、（Ｃ）剛性受熱材料を前記ガイドに置き、前記ガイドと前記黒鉛るつぼのるつぼ壁との隙間を減らさせるステップと、（Ｄ）種結晶を前記黒鉛るつぼの頂部に固定させるステップと、（Ｅ）前記炭化ケイ素源及び前記種結晶を格納した前記黒鉛るつぼを物理気相輸送法用の誘導加式高温炉に入れるステップと、（Ｆ）炭化ケイ素結晶成長工程を実施するステップと、（Ｇ）炭化ケイ素単結晶体を得るステップとを含む炭化ケイ素単結晶成長の熱場調整方法を提供する。【選択図】図５
Inventors:
Decency
Kei Masayoshi
Guo Shiwei
Huang Shun-aki
Dai Yoshihiro
Kei Masayoshi
Guo Shiwei
Huang Shun-aki
Dai Yoshihiro
Application Number:
JP2022010056A
Publication Date:
July 10, 2023
Filing Date:
January 26, 2022
Export Citation:
Assignee:
Kuniya Nakayama Institute of Science
International Classes:
C30B29/36
Domestic Patent References:
| JP2019189499A | ||||
| JP2018080072A | ||||
| JP2017088415A | ||||
| JP2009274933A | ||||
| JP2004224663A |
Attorney, Agent or Firm:
HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
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