Title:
集積回路（ＩＣ）パッケージ内の電子デバイスの高さに適応された熱的構造
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024508365
Kind Code:
A
Abstract:
ＩＣパッケージは、基板の表面上の熱生成デバイスおよび電気デバイスと、電気デバイス上に配置されたモールド化合物と、放熱を改善するためにモールド化合物なしに熱生成デバイス上に配置された熱的構造とを含む。一例では、熱的構造は、熱伝導材料（ＴＩＭ）層とヒートシンクとを含む。一例では、ＴＩＭ層は、熱生成デバイスからモールド化合物以下の高さまで延び、ヒートシンクは、熱生成デバイスおよび電気デバイスの上方に平らな外表面を含む。一例では、熱生成デバイス上のヒートシンクの第１のヒートシンク部は、電気デバイス上のヒートシンクの第２のヒートシンク部と異なる厚さであり得る。熱的構造は、熱生成デバイスとヒートシンクとの間の熱抵抗を低減する。
Inventors:
Aniquette Patil
Hong Bok We
Bohang Yang
Hong Bok We
Bohang Yang
Application Number:
JP2023545347A
Publication Date:
February 27, 2024
Filing Date:
February 01, 2022
Export Citation:
Assignee:
Qualcomm, Inc.
International Classes:
H01L23/28; H01L23/36; H01L23/29; H01L25/00; H01L25/04
Attorney, Agent or Firm:
Yasuhiko Murayama
Shinpei Kuroda
Shinpei Kuroda
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