Title:
熱電変換デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2014033891
Kind Code:
A1
Abstract:
熱電変換デバイスにおいて、支持基板（１３、１４）と、支持基板上に形成される電極（１１、１２）と、電極上に形成され、半導体ガラスを含む熱電変換部（７、１０）と、を設ける。そして、半導体ガラスをバナジウムを含む無鉛ガラスとし、電極をＡｌ、Ｔｉ、Ｔｉの窒化物、Ｗ、Ｗの窒化物、Ｗのシリサイド、Ｔａ、Ｃｒ、またはＳｉのいずれかを含むものとする。係る構成によって、低コストの製造方法で製造することが可能であり、かつ熱電変換特性が高い複合材料を用い、併せて、係る複合材料に固有の課題も解決しうるデバイス構造を提供することを可能とし、その結果、低コスト、高特性、かつ高信頼な熱電変換デバイスを提供することを可能とする。
Inventors:
Chisaki Takubo
Hideaki Takano
Kengo Asai
Takashi Naito
Tadashi Fujieda
Yuichi Sawai
Noriyuki Sakuma
Hideaki Takano
Kengo Asai
Takashi Naito
Tadashi Fujieda
Yuichi Sawai
Noriyuki Sakuma
Application Number:
JP2014532662A
Publication Date:
August 08, 2016
Filing Date:
August 31, 2012
Export Citation:
Assignee:
株式会社日立製作所
International Classes:
H01L35/22; C22C12/00; H01L35/08; H01L35/16; H01L35/34
Domestic Patent References:
| JP2012134409A | 2012-07-12 | |||
| JP2011129832A | 2011-06-30 | |||
| JP2001068746A | 2001-03-16 |
Other References:
作花済夫, 境野照雄, 高橋克明編, ガラスハンドブック, JPN6012066605, 30 September 1975 (1975-09-30), JP, pages 720 - 724, ISSN: 0003172868
甲原好浩, 岩崎宏, 竹宮鉄史, 武井孝行, 吉田昌弘, 幡手泰雄: "バナジウム系低融性鉛フリーガラスの粒度最適化", 鹿児島大学工学部研究報告, vol. 第49号, JPN6012066606, 2007, JP, pages 1 - 6, ISSN: 0003172869
甲原好浩, 岩崎宏, 竹宮鉄史, 武井孝行, 吉田昌弘, 幡手泰雄: "バナジウム系低融性鉛フリーガラスの粒度最適化", 鹿児島大学工学部研究報告, vol. 第49号, JPN6012066606, 2007, JP, pages 1 - 6, ISSN: 0003172869
Attorney, Agent or Firm:
Manabu Inoue
Yuji Toda
Shigemi Iwasaki
Yuji Toda
Shigemi Iwasaki