Title:
高光電変換率を有する薄膜太陽電池及びその製造プロセス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021531639
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、高光電変換率を有する薄膜太陽電池及びその製造プロセスを提供する。前記薄膜太陽電池は、透明基板と、前記透明基板に設けられ、表示モジュールに向かって配置される太陽光ユニットと、を備え、表示領域に設置される太陽光ユニットは、前記透明基板上に設けられる透明前面電極、前記透明前面電極上に設けられる光吸収層及び前記光吸収層上に設けられる透明裏面電極を備え、非表示領域に設けられる太陽光ユニットは、前記透明基板上に設けられる透明前面電極、前記透明前面電極上に設けられる光吸収層及び前記光吸収層上に設けられる金属裏面電極を備える。表示モジュールの表示領域に対応する前面電極と裏面電極の両方を透明にすることによって、表示モジュールに向かう一方側と表示モジュールとは反対側で同時にさまざまな光源（即ち、表示モジュールに向かう一方側では、表示モジュールからの光を吸収し、表示モジュールとは反対側では、自然光又はほかの光源を吸収する）を両方向に吸収することができ、特に弱光条件では、薄膜太陽電池の変換効率を高める。
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Inventors:
▲すい▼ 斌
Zhang Tae Ao
Xie Yuu
Zhang Wenshin
Ryo Yang
Zhang Tae Ao
Xie Yuu
Zhang Wenshin
Ryo Yang
Application Number:
JP2020531572A
Publication Date:
November 18, 2021
Filing Date:
February 27, 2020
Export Citation:
Assignee:
TRULY SEMICONDUCTORS LTD.
International Classes:
H01L31/0468; H01L31/0224
Domestic Patent References:
| JP2010141192A | 2010-06-24 | |||
| JP2019148447A | 2019-09-05 | |||
| JP2001267604A | 2001-09-28 |
Foreign References:
| CN110277473A | 2019-09-24 | |||
| CN110165019A | 2019-08-23 |
Attorney, Agent or Firm:
try international patent corporation