Title:
薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6897897
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】可撓性基板の曲げに対する薄膜トランジスタの電気的な耐久性の向上を可能とした薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁層は、支持面の第２部分とゲート電極層とを覆う有機高分子化合物で構成された第１ゲート絶縁膜２１と、第１ゲート絶縁膜２１と半導体層１３とに挟まれて無機珪素化合物で構成された第２ゲート絶縁膜２２と、から構成され、第２ゲート絶縁膜２２の厚さが、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、第２ゲート絶縁膜２２の水素含有量が、５ａｔ％以上１３ａｔ％以下である。【選択図】図１
Inventors:
Chihiro Imamura
Itaru Ito
Koichi Tanaka
Itaru Ito
Koichi Tanaka
Application Number:
JP2021018151A
Publication Date:
July 07, 2021
Filing Date:
February 08, 2021
Export Citation:
Assignee:
Toppan Printing Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/786; H01L21/336
Domestic Patent References:
| JP2009246342A | 2009-10-22 |
Attorney, Agent or Firm:
Makoto Onda
Hironobu Onda
Hironobu Onda