ウェーハの両面研磨方法

Japanese Patent JP7168113

B1

【課題】従来のドレッシング方法以外でのアプローチで研磨布の目立てをし、エッジフラットネスを維持して高平坦度なウェーハを得ることができるウェーハの両面研磨方法を提供する。【解決手段】研磨布がそれぞれ貼付された上定盤と下定盤との間にウェーハを挟み込み、該ウェーハの両面に前記研磨布を摺接させて両面研磨加工を施すウェーハの両面研磨方法であって、算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以上、かつ、負荷面積率Ｓｍｒ１が１０％以上の表面モフォロジを有するウェーハを準備し、該準備したウェーハに前記両面研磨加工を施すことにより、前記ウェーハの表面モフォロジで前記研磨布をドレッシングしつつ、前記準備したウェーハの両面を研磨するウェーハの両面研磨方法。【選択図】図１

Yuuki Tanaka
Shiro Amami

JP2022069490A

November 09, 2022

April 20, 2022

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Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd.

B24B37/08; B24B37/24; B24B53/017; B24B53/12; H01L21/304

JP2008023617A	2008-02-07
JP2002217149A	2002-08-02
JP2020157449A	2020-10-01
JP2020171996A	2020-10-22

Mikio Yoshimiya
Toshihiro Kobayashi
Toru Otsuka

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