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Title:
ウェハレベルパッケージ方法及びパッケージ構造
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021535613
Kind Code:
A
Abstract:
ウェハレベルパッケージ方法及びパッケージ構造であって、ウェハレベルパッケージ方法は、第1チップが集積されるデバイスウェハーを提供するステップであって、前記デバイスウェハーは、第1チップが集積される第1正面と、第1正面と背向する第1背面とを含むステップと、第1正面に第1酸化層を形成するステップと、被接合面を有する集積すべき第2チップを提供するステップと、被接合面上に第2酸化層を形成するステップと、支持基板を提供するステップと、第2チップの被接合面と背向する表面を支持基板上に仮接合するステップと、第2酸化層及び第1酸化層を介して、溶融接合プロセスを用いて第2チップとデバイスウェハーとを接合するステップと、第2チップとデバイスウェハーとを接合した後、第2チップ及びキャリアウェハーに対して剥離処理を行うステップと、第2チップに被覆されるパッケージ層を第1酸化層上に形成するステップとを含む。本発明は、溶融接合プロセスによって、第1酸化層と第2酸化層との接合強度を向上させ、それにより、パッケージ歩留まりを向上させる。【選択図】図6

Inventors:
Luo Hailong
Drowley Clifford Ian
Application Number:
JP2021511562A
Publication Date:
December 16, 2021
Filing Date:
October 31, 2018
Export Citation:
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Assignee:
Core Integrated Circuit (Ningbo) Co., Ltd.
International Classes:
H01L25/065; H01L21/02; H01L21/60; H01L25/07; H01L25/18; H01L27/12
Domestic Patent References:
JP2006517344A2006-07-20
JP2016092190A2016-05-23
JP2013077711A2013-04-25
JP2009239288A2009-10-15
JP2008060406A2008-03-13
Foreign References:
US20150311188A12015-10-29
WO2014046052A12014-03-27
US20130307165A12013-11-21
CN108346639A2018-07-31
WO2014196105A12014-12-11
US20150255505A12015-09-10
WO2012133760A12012-10-04
US20130207098A12013-08-15
CN105140143A2015-12-09
CN102072967A2011-05-25
US20150111329A12015-04-23
Attorney, Agent or Firm:
Goto Patent Office