Title:
可変容量デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015151786
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体基板（１０）と、その主面に設けられた再配線層（５０）と、再配線層（５０）の実装面に設けられ、第１入出力端子、第２入出力端子、グランド端子および制御電圧印加端子を含む複数の端子電極（ＰＥ）と、を有し、再配線層（５０）に、第１入出力端子および第２入出力端子にそれぞれ接続された一対のキャパシタ電極と、一対のキャパシタ電極間に配置された強誘電体薄膜とで構成される強誘電体薄膜型の可変容量素子部（ＶＣ）が形成されており、半導体基板（１０）の主面に、第１入出力端子または第２入出力端子とグランド端子との間に接続されたＥＳＤ保護素子（ＥＳＤＰ１，ＥＳＤＰ２）が形成されている。
Inventors:
Toshiyuki Nakaiso
Nobuo Sakai
Nobuo Sakai
Application Number:
JP2015534861A
Publication Date:
April 13, 2017
Filing Date:
March 17, 2015
Export Citation:
Assignee:
MURATA MANUFACTURING CO.,LTD.
International Classes:
H01L21/822; H01G7/06; H01L21/3205; H01L21/768; H01L23/522; H01L27/04
Attorney, Agent or Firm:
Kaede International Patent Office
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