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Title:
基板貫通ビア（ＴＳＶ）を備えた容量性微細加工超音波トランスデューサ（ＣＵＭＴ）デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2016511607
Kind Code:
A
Abstract:
容量性微細加工超音波トランスデューサ（ＣＵＭＴ）デバイス１００が、厚い１０６及び薄い１０７誘電体領域を含む、パターニングされた誘電体層をその上に含む頂部側を有する第１の基板１０１を含む少なくとも一つのＣＵＭＴセル１０１を含む。マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）キャビティ１１４の上の可動薄膜を提供するために、厚い誘電体領域上に及び薄い誘電体領域の上に薄膜層１２０ｂがボンディングされる。基板貫通ビア（ＴＳＶ）１１１が、第１の基板の底部側から薄膜層の頂部表面まで延在する誘電体ライナー１３１を含む。頂部側金属層１６１が、ＴＳＶの上の、可動薄膜の上の、及びＴＳＶを可動薄膜に結合する、第１の部分を含む。パターニングされた金属層１６７が、ＴＳＶの横の第１の基板の底部側に接する第１のパターニングされた層部分を含む第１の基板の底部側面上にある。

Inventors:
Peter bee johnson
Ira Oak Tree Wygant
Application Number:
JP2015560307A
Publication Date:
April 14, 2016
Filing Date:
February 27, 2014
Export Citation:
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Assignee:
Texas Instruments Japan Ltd.
Texas Instruments Incorporated
International Classes:
H04R19/00; B81B3/00; B81C3/00; H01L23/12; H04R31/00
Domestic Patent References:
JP2009050560A2009-03-12
JP2011109358A2011-06-02
Foreign References:
WO2005120130A12005-12-15
WO2005120360A12005-12-22
Attorney, Agent or Firm:
Kyozo Katayose



 
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