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Title:
量子電気デバイスを冷却する回路アセンブリ、システム、及び方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2019505989
Kind Code:
A
Abstract:
量子電気デバイス12を冷却する回路アセンブリ10、回路アセンブリ10の使用、量子電気デバイス12を冷却するシステム及び方法が提供される。回路アセンブリ10は、冷却されるべき量子電気デバイス12と、量子電気デバイス12に電気的に接続される少なくとも1つの常伝導金属−絶縁体−超伝導体(NIS)トンネル接合13と、少なくとも1つのNISトンネル接合13に駆動電圧VQCRを供給する少なくとも1つの超電導リード線14と、を備える。量子電気デバイス12は、電圧VQCRが少なくとも1つのNISトンネル接合13に供給される場合に冷却され、電圧VQCRは電圧NΔ/e以下であり、N=1又はN=2であり、Nは電圧を発生させる手段と電気的に直列に結合されるNISトンネル接合の数であり、Δは超伝導体の状態密度におけるエネルギーギャップであり、且つeは素電荷である。【選択図】図1

Inventors:
Mottnen Mikko
Tan Quan Yen
Pattanen Matty
Application Number:
JP2018534097A
Publication Date:
February 28, 2019
Filing Date:
December 27, 2016
Export Citation:
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Assignee:
Aalto Colkea Cowle Sueti (Aalto University Foundation)
International Classes:
H01L39/22; H01L37/00; H01L39/20
Attorney, Agent or Firm:
Masayuki Masabayashi
Hayashi Ichiyoshi
Tetsuo Shiba
Iwaike Mitsuru