Title:
表示装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024020241
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】ソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層との接合をオーミック接合とした半導体装置の作製方法。【解決手段】酸化物半導体膜を熱処理する工程を有し、熱処理の工程後、酸化物半導体膜と、ソース電極層との間には、酸化物半導体膜より酸素の濃度が低い第１の領域が形成され、かつ酸化物半導体膜と、ドレイン電極層との間には、酸化物半導体膜より酸素の濃度が低い第２の領域が形成される。第１の領域及び第２の領域は酸化物半導体膜より酸素濃度が低いため、抵抗が低くオーミック接合とすることができる。【選択図】なし
Inventors:
Toshikazu Imato
Hideyuki Kishida
Hideyuki Kishida
Application Number:
JP2023183933A
Publication Date:
February 14, 2024
Filing Date:
October 26, 2023
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
G09F9/30; H01L21/336; H01L21/8234; H01L27/088; H01L29/786; H10K59/12; H10K59/123