Title:
表示装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024020261
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置を提供する。また、画素部の透過率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置を提供する。また、消費電力の低い表示装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域に第１の酸化物半導体膜を有するトランジスタと、第１の酸化物半導体膜と同一表面上に形成される第２の酸化物半導体膜と、トランジスタと電気的に接続される画素電極と、一対の電極間に誘電体膜が挟持された透光性を有する容量素子と、を有し、一対の電極の一方が第２の酸化物半導体膜であり、一対の電極の他方が画素電極であり、第２の酸化物半導体膜の膜厚が、第１の酸化物半導体膜の膜厚よりも薄い。【選択図】図３
Inventors:
Kin Satoshi Oikawa
Kenichi Okazaki
Kenichi Okazaki
Application Number:
JP2023186603A
Publication Date:
February 14, 2024
Filing Date:
October 31, 2023
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/786; G02F1/1368; G09F9/30; H01L21/336; H05B33/14; H10K59/123
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