Title:
磁気メモリ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024021510
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】高集積化と積層化に優れた三端子デバイス構造の磁気メモリを提供する。【解決手段】磁気メモリは複数の第１配線、第１配線に交差する第２配線、第１配線に交差する第３配線、第１配線に交差する第４配線、第１導電層を備える。第１磁気抵抗素子は互いに交差する第１配線と第２配線との交差点に対応して設けられている。第１磁気抵抗素子は、第１磁性層と、第１磁性層および第２配線の間に設けられた第２磁性層と、第１磁性層および第２磁性層の間に設けられた第１非磁性層とを含む。第１トランジスタは、第１磁気抵抗素子のそれぞれに対応して設けられ、第１磁性層と第１導電層との間に接続され、ゲートがそれぞれに対応する第１配線である。第２トランジスタは第２配線の一端と第３配線との間に接続されている。第３トランジスタは第２配線の他端と第４配線との間に接続されている。コントローラは第３および第４配線に接続される。【選択図】図４
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Inventors:
Yoshihiro Ueda
Masatoshi Yoshikawa
Masatoshi Yoshikawa
Application Number:
JP2022124374A
Publication Date:
February 16, 2024
Filing Date:
August 03, 2022
Export Citation:
Assignee:
Kioxia Corporation
International Classes:
H10B61/00; G11C11/16; H01L29/82; H10N50/10
Attorney, Agent or Firm:
Manabu Miyajima
Takeshi Sekine
Akira Akaoka
Takeshi Sekine
Akira Akaoka