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Title:
有機半導体組成物、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2017086320
Kind Code:
A1
Abstract:
本発明の課題は、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを形成できる有機半導体組成物を提供することである。また、本発明の課題は、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。本発明の有機半導体組成物は、分子量２０００以上で、かつ、式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、式（２）で表される低分子化合物Ｙと、を含有する。

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Inventors:
Yohske Yamamoto
Fumiko Tamakuni
Application Number:
JP2017551891A
Publication Date:
August 02, 2018
Filing Date:
November 15, 2016
Export Citation:
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Assignee:
FUJIFILM Corporation
International Classes:
H01L29/786; C07D495/04; C08G61/12; C08K5/45; C08L65/00; H01L21/336; H01L51/05; H01L51/30; H01L51/40
Domestic Patent References:
JP2012528215A2012-11-12
JP2012039103A2012-02-23
JP2009267372A2009-11-12
JP2015050231A2015-03-16
JP2015507840A2015-03-12
JP2014505750A2014-03-06
JP2013161828A2013-08-19
Foreign References:
WO2015163206A12015-10-29
WO2015163207A12015-10-29
WO2016076198A12016-05-19
WO2016148169A12016-09-22
WO2012033073A12012-03-15
Attorney, Agent or Firm:
Nozomi Watanabe
Hideaki Ito
Fumio Mitsuhashi



 
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