Title:
化学相堆積に有用な有機金属化合物
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2018515694
Kind Code:
A
Abstract:
原子層堆積（ＡＬＤ）および化学気相堆積（ＣＶＤ）のような化学相堆積工程に有用な有機金属化合物。この化合物は、化学式１：［｛Ｒ１Ｒ２Ｒ３（Ａ））ｘ−Ｍ（ＣＯ）ｙ］ｚに該当し、ここで、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３の少なくとも１つがＨ以外である条件で、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、Ｈ、低級アルキル基、および独立して選択される少なくとも１つの低級アルキル基で置換されていてもよいフェニル基からなる群から独立して選択され；Ｍが、コバルト族金属、鉄族金属、マンガン族金属、およびクロム族金属からなる群から選択され；Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ、およびＳnからなる群から選択され；そして、Ｍがコバルト族金属からなる群から選択される場合、ｘ＝１、ｙ＝４、およびｚ＝１であり、Ｍがマンガン族金属からなる群から選択される場合、ｘ＝１、ｙ＝５、およびｚ＝１であり、Ｍがクロム族金属からなる群から選択される場合、ｘ＝２、ｙ＝４、およびｚ＝１であり、Ｍが鉄族金属からなる群から選択される場合、ｘ＝２、ｙ＝４、およびｚ＝１、またはｘ＝１、ｙ＝４、およびｚ＝２である。本発明の化合物の少なくとも１つを、共試薬の存在下で反応させて、金属カルボニルヒドリドを生成し、清浄に熱的に分解して、実質的に純粋な金属膜、金属酸化物膜、金属窒化物膜、金属リン化物膜、金属ホウ化物膜、または金属硫化物膜を形成することを含む堆積方法も提供される。ある基板上に金属または金属含有膜が選択的に堆積され、他の基板材料上に堆積されないような選択的な堆積方法。
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Inventors:
Odedra Ragesh
Don Kung Hai
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Application Number:
JP2018507756A
Publication Date:
June 14, 2018
Filing Date:
April 25, 2016
Export Citation:
Assignee:
Sea Star Chemicals Incorporated
International Classes:
C23C16/18; C07F19/00; C23C16/34; C23C16/40
Attorney, Agent or Firm:
Satoshi Asakawa
Masaki Shimura
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