Title:
半導体装置および電力変換装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015166523
Kind Code:
A1
Abstract:
発生ノイズを抑制する目的で、スイッチング速度調整用の抵抗とコンデンサ容量の値を大きくしてスイッチング速度を遅く制御した場合には、カスコード型のハイブリッドパワーデバイスを上手くスイッチング制御することができず、素子の破壊を防止できないため信頼性の高い電力変換装置を達成できないという課題が発生する。ノーマリオン型ワイドバンドギャップ半導体ＪＦＥＴのソースとノーマリオフ型ＭＯＳＦＥＴのドレインとを接続し、前記ワイドバンドギャップ半導体ＪＦＥＴのゲートと前記ＭＯＳＦＥＴのソースとを接続してなるカスコード型ＪＦＥＴを有する半導体装置であって、前記ワイドバンドギャップ半導体ＪＦＥＴのゲートと前記ＭＯＳＦＥＴのソースとの間に設けられた第一の抵抗と、前記第一の抵抗に並列に接続された定電圧ダイオードを備える構成とする。
Inventors:
Satoshi Ibori
Yasushi Sasaki
Kiyotaka Tomiyama
Yasushi Sasaki
Kiyotaka Tomiyama
Application Number:
JP2016515771A
Publication Date:
April 20, 2017
Filing Date:
April 28, 2014
Export Citation:
Assignee:
Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd.
International Classes:
H03K17/16; H02M7/537; H03K17/08; H03K17/0814; H03K17/687
Domestic Patent References:
| JP2011029386A | 2011-02-10 | |||
| JP2011166673A | 2011-08-25 | |||
| JPH0983326A | 1997-03-28 | |||
| JP2010136089A | 2010-06-17 | |||
| JP2013042270A | 2013-02-28 | |||
| JP2012235378A | 2012-11-29 | |||
| JP2008154176A | 2008-07-03 | |||
| JP2002152024A | 2002-05-24 |
Foreign References:
| WO2012141859A2 | 2012-10-18 | |||
| US20020153938A1 | 2002-10-24 | |||
| US20110199148A1 | 2011-08-18 |
Attorney, Agent or Firm:
Yuji Toda