Title:
高純度イットリウム、高純度イットリウムの製造方法、高純度イットリウムスパッタリングターゲット、高純度イットリウムスパッタリングターゲットを用いて成膜したメタルゲート膜並びに該メタルゲート膜を備える半導体素子及びデバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2013005349
Kind Code:
A
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Inventors:
Masahiro Takahata
Application Number:
JP2011071131W
Publication Date:
February 23, 2015
Filing Date:
September 15, 2011
Export Citation:
Assignee:
JX day ore Nippon Oil metal incorporated company
International Classes:
C22C1/02; C22B9/22; C25C3/34; C23C14/34; C22B59/00; C22C28/00
Attorney, Agent or Firm:
Isamu Ogoshi