Title:
Semiconductor differential pressure sensor and its manufacturing method
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6293236
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】−４０℃から１３０℃程度の広い温度範囲において安定して高精度な測定を行うことが可能な信頼性の高い半導体差圧センサと、この半導体差圧センサを安価且つ高歩留まりで製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】半導体差圧センサエレメント１００Ａは、ダイヤフラム５の内側にのみ感歪素子６を配置し、ダイヤフラム５に沿って応力緩和溝１３を設けているので、ケースの膨張または収縮による熱応力が感歪素子６へ伝播しにくく、外部の温度変化による特性変動が抑制される。また、凹部３の内部に犠牲柱１２を設け、第二の半導体基板２を薄肉化するダイヤフラム形成工程や洗浄工程が繰り返し実施される機能素子形成工程において、ダイヤフラム５を犠牲柱１２で保持するようにしたので、ダイヤフラム５の破損を防止することができ、歩留まりが著しく向上する。【選択図】図７
Inventors:
Eiji Yoshikawa
Application Number:
JP2016214079A
Publication Date:
March 14, 2018
Filing Date:
November 01, 2016
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
G01L13/06; G01L9/00; H01L29/84
Domestic Patent References:
| JP2011237364A | 2011-11-24 | |||
| JP2013124947A | 2013-06-24 | |||
| JP2015143713A | 2015-08-06 | |||
| JPH09325082A | 1997-12-16 | |||
| JP2015075422A | 2015-04-20 | |||
| JPH07174654A | 1995-07-14 | |||
| JP2011237364A | 2011-11-24 | |||
| JP2013124947A | 2013-06-24 | |||
| JP2015143713A | 2015-08-06 | |||
| JPH09325082A | 1997-12-16 | |||
| JP2015075422A | 2015-04-20 | |||
| JPH07174654A | 1995-07-14 | |||
| JP2010181372A | 2010-08-19 | |||
| JP2005221351A | 2005-08-18 | |||
| JPH0572069A | 1993-03-23 | |||
| JP2010181372A | 2010-08-19 | |||
| JP2005221351A | 2005-08-18 | |||
| JPH0572069A | 1993-03-23 |
Foreign References:
| US20020014124A1 | 2002-02-07 | |||
| US20020014124A1 | 2002-02-07 |
Attorney, Agent or Firm:
Masuo Oiwa
Takenaka Ikuo
Keigo Murakami
Kenji Yoshizawa
Takenaka Ikuo
Keigo Murakami
Kenji Yoshizawa