Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024020625
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】 絶縁耐圧の向上を図った半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置Ａ１は、第１リード、第２リード、第１半導体素子（制御素子１１１）、第２半導体素子（駆動素子１１２）、絶縁素子１２、複数の第１ワイヤ、複数の第２ワイヤ、複数の第３ワイヤ、複数の第４ワイヤ、および複数の第５ワイヤを備える。第１リードは、第１ダイパッド２１、２つの第１支持端子５１、および複数の第１中間端子３１を含む。第２リードは、第２ダイパッド２２、２つの第２支持端子５２、および複数の第２中間端子４１を含む。絶縁素子１２につながる前記複数の第１ワイヤの各々の一端と、絶縁素子１２につながる前記複数の第２ワイヤの各々の一端と、はいずれも円盤状の部分を含む。前記第１半導体素子につながる前記複数の第１ワイヤの各々の他端と、前記第２半導体素子につながる前記複数の第２ワイヤの各々の他端と、はいずれもテーパ状の部分を含む。【選択図】 図２
Inventors:
Hiroshi Matsubara Invitation
Yasumasa Kasuya
Yasumasa Kasuya
Application Number:
JP2023206518A
Publication Date:
February 14, 2024
Filing Date:
December 06, 2023
Export Citation:
Assignee:
ROHM Co., Ltd.
International Classes:
H01L23/48; H01L23/50; H01L25/04
Attorney, Agent or Firm:
Hisashi Usui
Tomokazu Saito
Tomokazu Saito
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