Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024040150
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】安定な電気特性をもつ半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、酸化物半導体膜、ゲート電極、第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜を有する。ゲート電極と第３の導電膜とは電気的に接続されている。第１、第２の導電膜は、ソース電極またはドレイン電極として機能する。酸化物半導体膜は、第１の導電膜と重なる第１の領域と、第２の導電膜と重なる第２の領域と、ゲート電極および第３の導電膜と重なる第３の領域とを有し、第１の領域は、第２の領域と対向している第１の端部を有し、第２の領域は、第１の領域と対向している第２の端部を有し、第１の端部の長さは、第２の端部の長さよりも短い。【選択図】図３
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Inventors:
Nagaaki Shishido
Akatsuki Saito
Yukinori Shima
Daisuke Kurosaki
Junichi Koezuka
Shunpei Yamazaki
Akatsuki Saito
Yukinori Shima
Daisuke Kurosaki
Junichi Koezuka
Shunpei Yamazaki
Application Number:
JP2023216746A
Publication Date:
March 25, 2024
Filing Date:
December 22, 2023
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/786; G02F1/1368; H10K50/00; H10K59/12