Title:
半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024044491
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】破壊を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】一実施の形態によれば、半導体装置１は、半導体基板５０を備え、表面５１側から見たとき、半導体基板５０は、複数のＩＧＢＴ１ａを含むＩＧＢＴ領域１０と、ＩＧＢＴ領域１０を囲むように配置され、複数のダイオード１ｂ～１ｄを含むダイオード領域２０と、ダイオード領域２０を囲むように配置された周辺領域３０と、を有し、ＩＧＢＴ１ａは、ドリフト層５３と、バリア層５４と、チャネル層５５と、エミッタ層５６と、１対のトレンチ電極６０と、トレンチ絶縁膜６５と、フィールドストップ層５７と、コレクタ層５８と、を有し、ダイオード１ｂは、ドリフト層５３と、半導体層５３ａと、チャネル層５５と、１対のトレンチ電極６０と、トレンチ絶縁膜６５と、フィールドストップ層５７と、カソード層６６と、を有する。【選択図】図５
Inventors:
Yuki Ikiri
Application Number:
JP2022150042A
Publication Date:
April 02, 2024
Filing Date:
September 21, 2022
Export Citation:
Assignee:
Renesas Electronics Corporation
International Classes:
H01L29/739; H01L21/822; H01L21/8234; H01L29/06; H01L29/78; H01L29/861
Attorney, Agent or Firm:
Ken Ieiri