Title:
センスアンプ及び記憶装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP7132453
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】電源スイッチ回路によってセンスアンプの静的消費電力を低減させ、プリチャージ回路によってセンスアンプのクランプ電圧のプリチャージ速度を向上させ、放電回路によってセンスアンプ内部が不安定状態になるとの事態を防止することができるセンスアンプ及び記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルに安定した読取電圧を印加する電圧クランプ回路１１と、電圧クランプ回路１１の非動作時に電圧クランプ回路１１の給電経路を切断する電源スイッチ回路１２と、電圧クランプ回路１１が動作する前に電圧クランプ回路１１を放電する放電回路１３と、電圧クランプ回路１１が動作を開始する際に電圧クランプ回路１１をプリチャージするプリチャージ回路１４と、電圧クランプ回路１１の出力ポートに接続されており、読出電流を参照電流と比較して比較結果を出力する電流比較回路１５、を含む。【選択図】図１
Inventors:
聶 虹
Zhu Sawau
Sun Ying
Ikkaku Shen
Zhu Sawau
Sun Ying
Ikkaku Shen
Application Number:
JP2022085349A
Publication Date:
September 06, 2022
Filing Date:
May 25, 2022
Export Citation:
Assignee:
Hirou Nakaten Integrated Circuit Limited Liability Company
International Classes:
G11C7/06; G11C7/12
Domestic Patent References:
| JPS61292293A | 1986-12-23 |
Foreign References:
| WO2013145733A1 | 2013-10-03 |
Attorney, Agent or Firm:
Fujiharu
Miki Kawakami
Rie Kawai
Miki Kawakami
Rie Kawai