Title:
炭化珪素半導体装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024028046
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】バイポーラ劣化を抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供すること。【解決手段】ｐ++型外周コンタクト領域４３は、エッジ終端領域に設けられ、コーナーを円弧状に湾曲させた矩形状に活性領域の周囲を囲む。ｐ++型外周コンタクト領域４３は、絶縁層を介して半導体基板３０のおもて面上のゲートランナーに対向する。活性領域には、絶縁層を介して半導体基板３０のおもて面上のゲートパッドに対向して、ｐ++型領域４４が設けられている。ｐ++型外周コンタクト領域４３およびｐ++型領域４４は、ソース電極とソースコンタクトを形成するｐ++型コンタクト領域６と離れて設けられている。ｐ++型コンタクト領域６と、ソースコンタクトが形成されるコンタクトホール１１ａと、は活性領域の中央側および端部側ともに同じレイアウトとなるように、活性領域の全域にわたって均一なレイアウトで配置されている。【選択図】図５
Inventors:
Takashi Tsuji
Application Number:
JP2022131373A
Publication Date:
March 01, 2024
Filing Date:
August 19, 2022
Export Citation:
Assignee:
Fuji Electric Co., Ltd.
International Classes:
H01L29/78; H01L29/06; H01L29/12
Attorney, Agent or Firm:
Akinori Sakai