Title:
トランジスタ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024026706
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。【解決手段】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、ＢＴ試験前後における薄膜トランジスタのしきい値電圧の変動幅を２Ｖ以下、好ましくは１．５Ｖ以下、さらに好ましくは１．０Ｖ以下とすることで、信頼性が高く安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、しきい値の変動に起因する表示むらなどの動作不良を低減することができる。【選択図】図１
Inventors:
Shunpei Yamazaki
Takahiro Tsuji
Kunihiko Suzuki
Takahiro Tsuji
Kunihiko Suzuki
Application Number:
JP2024002248A
Publication Date:
February 28, 2024
Filing Date:
January 11, 2024
Export Citation:
Assignee:
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
International Classes:
H01L21/336; H01L29/786