Title:
超音波トランスデューサ及びその製造方法、並びに超音波検査装置
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2015159427
Kind Code:
A1
Abstract:
静電容量型の超音波トランスデューサでの駆動電圧の増大を抑制し、ＣＭＵＴの超音波の送信音圧を増大することができる構造とその製造方法を提供することである。静電容量型の超音波トランスデューサのセルを、基板の第１主面の上面からみて、最上層の超音波トランスデューサセルの空洞層の領域に、下層の全ての超音波トランスデューサセルの空洞層の領域が内包されるように積層することを特徴とする。
Inventors:
Shuntaro Machida
Daisuke Tatsuzaki
Daisuke Tatsuzaki
Application Number:
JP2016513595A
Publication Date:
April 13, 2017
Filing Date:
April 18, 2014
Export Citation:
Assignee:
株式会社日立製作所
International Classes:
H04R19/00; A61B8/00; G01N29/24; H04R31/00
Domestic Patent References:
| JP2009194934A | 2009-08-27 |
Foreign References:
| US6558330B1 | 2003-05-06 |
Attorney, Agent or Firm:
Polaire Patent Business Corporation