Die Erfindung betrifft einen akustischen Spiegel, der akusti- sche Wellen eines definierten Frequenzbereichs reflektiert.

Ein solcher akustischer Spiegel wird beispielsweise in B.

Olutade et al,"Sensitivity Analysis of Thin Film Bulk Acou- stic Resonator Ladder Filter", IEEE International Frequency Control Symposium 1997,737, beschrieben. Der akustische Spiegel besteht aus einem Stapel von Dünnschichten mit ab- wechselnd hoher und niedriger akustischer Impedanz. Die Dicke der Dünnschichten beträgt beispielsweise ein Viertel der Wel- lenlänge der zu reflektierenden akustischen Wellen in der je- weiligen Dünnschicht. Vorzugsweise ist die Herstellung des akustischen Spiegels möglichst kompatibel zu Silizium- Prozeßtechniken, damit der akustische Spiegel zusammen mit anderen Bauelementen auf einem Chip integriert werden können.

Aus Y. Hayashi et al.,"Nitride Masked Polishing (NMP) Technique for Surface Planarization of Interlayer-Dielectric Films", Ext. Abstr. of the 1992 Int. Conf. on Solid State De- vices and Materials, Tsukuba (1992) 533 ist bekannt, zum Er- zeugen einer möglichst planaren Oberfläche einer Schicht aus Borphosphorsilikatglas (BPSG), die ein erhöhtes Zellenfeld und eine Peripherie einer Speicherzellenanordnung bedeckt, eine Stopschicht aus Siliziumnitrid auf einen Teil der Schicht aus BPSG oberhalb der Peripherie aufzubringen und an- schließend chemisch-mechanisch zu planarisieren. Vor der Planarisierung ist ein Teil der Schicht aus BPSG oberhalb des Zellenfeldes erhöht. Dieser Teil wird aufgrund der Stopschicht selektiv zum Teil der Schicht aus BPSG oberhalb der Peripherie beim Planarisieren entfernt.

Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, einen akustischen Spiegel anzugeben, dessen Herstellung kompatibel zu Silizium-

Prozeßtechniken ist und der im Vergleich zum Stand der Tech- nik eine besonders hohe Reflektivität aufweisen kann. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung eines solchen akustischen Spiegels angegeben werden.

Das Problem wird gelöst durch einen akustischen Spiegel gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren zur Herstellung eines akusti- schen Spiegels gemäß Anspruch 7.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den übrigen Ansprüchen hervor.

Die Reflektivität ist umso höher je größer der Unterschied zwischen den akustischen Impedanzen der Schichten des akusti- schen Spiegels ist. Metallschichten weisen eine besonders ho- he Impedanz auf. Aufgrund der Verwendung von Metallschichten kann die Reflektivität des akustischen Spiegels besonders hoch sein.

Akustische Wellen werden durch einen Stapel reflektiert, der aus den isolierenden Schichten und den Metallschichten be- steht. Die von den Dicken der Schichten erfullte Reflexions- bedingung besteht beispielsweise darin, daß eine unter einem bestimmten Winkel auf das Substrat einfallende akustische Welle mit einer bestimmten Frequenz von den Schichten beson- ders gut reflektiert wird.

Die Dicken der isolierenden Schichten und der Metallschichten betragen vorzugsweise jeweils im wesentlichen k/4, wobei die Wellenlänge einer akustischen Welle in der jeweiligen Schicht ist, die bei senkrechtem Einfall auf das Substrat be- sonders gut reflektiert wird. Die Wellenlänge hängt bei glei- cher Frequenz der Welle von der Impedanz und von der spezifi- . schen Dichte des Materials, das die Welle passiert, ab.

Die isolierenden Schichten weisen eine niedrige akustische Impedanz auf, während die Metallschichten eine hohe akusti-

sche Impedanz aufweisen. Die Dicken der Metallschichten sind also vorzugsweise gleich. Dasselbe gilt für die isolierenden Schichten. Die isolierenden Schichten und die Metallschichten haben jedoch in der Regel unterschiedliche Dicken.

Die unterste Schicht des Stapels ist beispielsweise eine der isolierenden Schichten.

Die oberste Schicht des Stapels ist vorzugsweise eine der Me- tallschichten.

Die Schichten des Stapels werden im wesentlichen konform auf- gebracht.

Zueinander benachbarte der Schichten des Stapels grenzen vor- zugsweise aneinander an. Es können zwischen den zueinander benachbarten Schichten jedoch auch im Vergleich zu den Schichten sehr dünne Zwischenschichten, z. B. Diffusionsbar- rieren, angeordnet sein.

Da die Metallschichten in mindestens einer Vertiefung erzeugt werden, weisen die Metallschichten kleinere horizontale Flä- chen auf als das Substrat. Die Kapazität des akustischen Spiegels, die durch die Metallschichten gebildet wird, ist im Vergleich zu einem akustischen Spiegel, bei dem die Metall- schichten das ganze Substrat bedecken, kleiner.

Eine Metallschicht, die das ganze Substrat bedeckt, bewirkt aufgrund eines hohen Schichtstreß eine Verbiegung des Sub- strats, die umso stärker ist je dicker die Metallschicht ist.

Beim erfindungsgemäßen akustischen Spiegel wird die Verbie- gung des Substrats vermieden, da die Metallschichten nicht das gesamte Substrat bedeckt, sondern nur in einer oder meh- reren Vertiefung angeordnet ist.

Die Metallschichten werden jeweils zunächst ganzflächig abge- schieden und anschließend durch chemisch-mechanisches Polie-

ren so strukturiert, daß sie innerhalb der jeweils zugehöri- gen Vertiefung angeordnet sind. Durch chemisch-mechanisches Polieren kann das Metall besser strukturiert werden als durch Atzen mit Hilfe eines photolithographischen Prozesses. Grund dafür ist die Verbiegung des Substrats nach der ganzflächigen Abscheidung der Metallschicht, die zu Problemen bei photoli- thographischen Prozessen führt. Beispielsweise können bei ei- ner starken Verbiegung Justiermarken zum Justieren von Masken nicht gefunden werden. Bei Verbiegung des Substrats ist dar- über hinaus eine scharfe Abbildung bei Belichtung zur Erzeu- gung der Masken aus Photolack nicht mehr möglich. Beim erfin- dungsgemäßen Verfahren kann die Vertiefung mit Hilfe eines photolithographischen Verfahrens vor Abscheidung der Metall- schicht, das heißt bei unverbogenem Substrat erzeugt werden.

Die Form der Vertiefung definiert die Form der Metallschicht.

Das Verfahren ermöglicht die gleichzeitige Erzeugung von Kon- takten oder Leitungen, die ebenfalls auf dem Substrat erzeugt werden, indem die Hilfsschicht entsprechend strukturiert wird und die dabei erzeugten Vertiefungen bzw. Kontaktlöcher durch das Abscheiden und das chemisch-mechanische Polieren der Me- tallschicht gefüllt werden. Auch hier erfolgt die erforderli- che Lithographie bei unverbogenem Substrat.

Durch das Vorsehen der Hilfsschicht, die die Metallschicht umgibt, existiert zwischen einem Bereich, in dem die Metall- schicht angeordnet ist, und einem Bereich, der neben der Me- tallschicht angeordnet ist, kein oder ein geringerer Höhenun- terschied als wenn die Metallschicht durch Atzen strukturiert worden wäre. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren treten al- so keine Topologieprobleme auf. Beim Atzen von Metall mit Hilfe eines photolithographischen Verfahrens zur trzeugung der Metallschicht ohne Verwendung der Hilfsschicht und der Vertiefung wird hingegen eine Stufe gebildet, durch die es zu Problemen bei Abscheidung weiterer Schichten bzw. bei photo- lithographischen Verfahren, bei denen sowohl ein Bereich der strukturierten Metallschicht als auch ein daneben angeordne-

ten Bereich belichtet werden, kommt. Problematisch sind große Höhenunterschiede insbesondere bei photolithographischen Pro- zeßschritten, da schon beim Aufschleudern des Photolacks kei- ne homogene Schicht ohne Dickenschwankungen erzeugt werden kann. Solche photolithographischen Schritte werden beispiels- weise benötigt, wenn auf dem akustischen Spiegel z. B. Elek- troden aufgebracht werden sollen.

Eine der Metallschichten kann in einer Vertiefung angeordnet sein, in der sonst keine weitere Metallschicht angeordnet ist. In diesem Fall wird nach Erzeugung der Vertiefung die Metallschicht abgeschieden und chemisch-mechanisch planari- siert. Soll über der Metallschicht eine weitere Metallschicht erzeugt werden, so wird auf der Hilfsschicht eine der isolie- renden Schichten erzeugt und darüber eine weitere Hilfs- schicht mit einer Vertiefung, die über der Vertiefung der Hilfsschicht angeordnet ist und die weitere Hilfsschicht durchtrennt. Die weitere Metallschicht wird in der Vertiefung der weiteren Hilfsschicht erzeugt.

Innerhalb der Vertiefung sind keine weitere Metallschicht und keine der isolierenden Schichten angeordnet. Da die Metall- schicht durch chemisch-mechanisches Polieren strukturiert wird, ist die Tiefe der Vertiefung gleich oder größer als die Dicke der strukturierten Metallschicht. Vorzugsweise füllt die Metallschicht die Vertiefung im wesentlichen auf.

Eine obere Oberfläche der Metallschicht kann jedoch auch tie- fer liegen als eine obere Oberfläche der Hilfsschicht. In diesem Fall füllen die Metallschicht und ein Teil der darüber angeordneten isolierenden Schicht die Vertiefung im wesentli- chen auf. Da die isolierende Schicht auf der Hilfsschicht und der Metallschicht angeordnet ist, ist auch in diesem Fall die isolierende Schicht nicht innerhalb der Vertiefung angeord- net. Nur ein Teil der isolierenden Schicht ist innerhalb der Vertiefung angeordnet.

Es können z. B. alle Metallschichten jeweils in einer Vertie- fung erzeugt werden. Die Vertiefungen sind übereinander ange- ordnet. Zwischen jeweils zwei der Hilfsschichten ist eine der isolierenden Schichten angeordnet.

Zur Verkleinerung des Prozeßaufwands ist es vorteilhaft, wenn mindestens zwei der Metallschichten und eine dazwischen ange- ordnete der isolierenden Schichten in derselben Vertiefung erzeugt werden. Dazu werden nach Erzeugung der Vertiefung ganzflächig zunächst die eine Metallschicht, dann die isolie- rende Schicht und dann die weitere Metallschicht abgeschie- den. Anschließend werden die Metallschichten und die isolie- rende Schicht durch chemisch-mechanisches Polieren in einem Schritt abgetragen bis außerhalb der Vertiefung angeordnete Teile der beiden Metallschichten und der isolierenden Schicht entfernt werden.

Die unterste Schicht der Schichten, die in der Vertiefung er- zeugt werden, kann eine andere der isolierenden Schichten oder eine der beiden Metallschichten sein.

Zur Erhöhung der Reflektivität des akustischen Spiegels kön- nen auch mehr als zwei Metallschichten in derselben Vertie- fung erzeugt werden. Dazu muß die Hilfsschicht noch dicker gebildet werden und weitere isolierende Schichten und Metall- schichten abgeschieden werden.

Die Tiefe der Vertiefung ist gleich oder größer als die Summe der Dicken aller innerhalb der Vertiefung angeordneten Schichten.

Eine horizontale Fläche der Metallschichten ist beispielswei- se zwischen (20*20) pm2 und (400*400) lum2 groß. Bei solch großen Flächen kann ein Effekt beim chemisch-mechanischen Po- lieren auftreten, der als Dishing bezeichnet wird. Dabei wer- den beim Dünnen großer Bereiche mittlere Teile stärker abge- tragen als außen liegende Teile. Zur Verhinderung von Dishing

ist es vorteilhaft, wenn auf der Metallschicht, die beim che- misch-mechanischen Polieren freiliegen wUrde, eine Stopschicht aufgebracht wird. Die Dicke der Stopschicht be- trägt vorzugsweise zwischen 30nm und 100 nm oder ist min- destens 5 mal kleiner als die Dicke der Metallschicht. Die Stopschicht besteht aus einem Material, das bei dem chemisch- mechanischen Polieren des Metalls kaum angegriffen wird. Au- ßerhalb der Vertiefung angeordnete Teile der Stopschicht wer- den entfernt. Anschließend wird die Metallschicht selektiv zur Stopschicht chemisch-mechanisch poliert. Die Stopschicht verhindert dabei, daß aufgrund von Dishing auch Teile der Me- tallschicht innerhalb der Vertiefung abgetragen werden. Die Tiefe der Vertiefung sollte dabei nicht kleiner sein als die Summe aller darin angeordneten Schichten inklusive der Stopschicht.

Werden mehrere Metallschichten in derselben Vertiefung er- zeugt, so bedeckt die Stopschicht die oberste Metallschicht.

Die Stopschicht besteht beispielsweise aus Titan, TiN oder Siliziumnitrid.

Die Stopschicht kann beispielsweise durch chemisch- mechanisches Polieren strukturiert werden. Alternativ wird die Stopschicht durch ein photolithographisches Verfahren strukturiert. Als Methode ist dabei zum Beispiel Trockenätzen geeignet.

Nach Strukturierung der Metallschichten können die darauf an- geordneten Stopschichten entfernt werden.

Die Metallschichten bestehen beispielsweise aus Wolfram. Al- ternativ können die Metallschichten aus Molybdän oder Platin bestehen.

Die isolierenden Schichten bestehen beispielsweise aus Si02 oder aus Siliziumnitrid.

Die Hilfsschichten bestehen beispielsweise aus Si02 oder aus Siliziumnitrid.

Damit die Vertiefungen eine definierte Tiefe erhalten, können die Hilfsschichten selektiv zu den isolierenden Schichten ätzbar sein. Zur Erzeugung der Vertiefungen werden die Hilfs- schichten selektiv zu den isolierenden Schichten geätzt.

Alternativ wird zwischen der Hilfsschicht und der darunter angeordneten isolierenden Schicht eine Atzstopschicht er- zeugt, die selektiv zur Hilfsschicht ätzbar ist. Zur Erzeu- gung der Vertiefung wird die Hilfsschicht selektiv zur Atz- stopschicht geätzt bis ein Teil der Atzstopschicht freigelegt wird.

Der Teil der Atzstopschicht kann anschließend entfernt werden oder wirkt als Teil der isolierenden Schicht.

Vorzugsweise sind zwei oder drei Metallschichten vorgesehen.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Figuren näher erläutert.

Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch ein erstes Substrat, nachdem eine erste isolierende Schicht, eine erste Atzstopschicht, eine erste Hilfsschicht, eine erste Vertiefung, eine erste Metallschicht und eine erste Stopschicht erzeugt wurden.

Figur 2 zeigt den Querschnitt aus Figur 1, nachdem die Stopschicht strukturiert wurde.

Figur 3 zeigt den Querschnitt aus Figur 2, nachdem die erste Metallschicht strukturiert wurde.

Figur 4 zeigt den Querschnitt aus Figur 3, nachdem eine zweite isolierende Schicht, eine zweite Atz- stopschicht, eine zweite Hilfsschicht, eine zweite Vertiefung, eine zweite Metallschicht und eine zweite Stopschicht erzeugt und strukturiert wurden.

Figur 5 zeigt einen Querschnitt durch ein zweites Substrat, nachdem eine erste isolierende Schicht, eine erste Atzstopschicht, eine Hilfsschicht, eine Vertiefung, eine erste Metallschicht, eine zweite isolierende Schicht, eine zweite Metallschicht und eine Stopschicht erzeugt wurden.

Figur 6 zeigt den Querschnitt aus Figur 5, nachdem die erste Metallschicht, die zweite isolierende Schicht und die zweite Metallschicht strukturiert wurden.

Figur 7 zeigt den Querschnitt aus Figur 6, nachdem eine wei- tere isolierende Schicht, eine zweite Atzstopschicht, eine weitere Hilfsschicht, eine weitere Vertiefung, eine weitere Metallschicht und eine weitere Stopschicht erzeugt wurden.

Die Figuren sind nicht maßstabsgetreu.

In einem ersten Ausführungsbeispiel ist als Ausgangsmaterial ein erstes Substrat 1 aus Silizium vorgesehen (siehe Figur 1).

Auf dem ersten Substrat 1 wird eine ca. 0,8 um dicke erste isolierende Schicht I1 aus Si02 erzeugt (siehe Figur 1).

Auf der ersten isolierenden Schicht I1 wird eine ca. 100nm dicke erste Atzstopschicht A1 aus Siliziumnitrid erzeugt.

Darder wird eine ca. 0,9um dicke erste Hilfsschicht H1 aus Si02 erzeugt (siehe Figur 1).

Mit Hilfe einer ersten Photolackmaske (nicht dargestellt) wird in der ersten Hilfsschicht H1 eine erste Vertiefung V1 erzeugt, indem zunächst Si02 selektiv zu Siliziumnitrid ge- ätzt wird bis ein Teil der Atzstopschicht freigelegt wird, und anschließend der Teil der Atzstopschicht A1 selektiv zu Si02 entfernt wird. Die erste Vertiefung V1 durchtrennt die erste Hilfsschicht H1 und die Atzstopschicht A1. Die erste Vertiefung V1 weist einen quadratischen horizontalen Quer- schnitt mit einer Seitenlänge von ca. 200 pm auf (siehe Figur 1). Die erste Vertiefung V1 reicht bis zur ersten isolieren- den Schicht I1.

Zur Erzeugung einer ersten Metallschicht M1 wird Wolfram in einer Dicke von ca. 0,7 um abgeschieden (siehe Figur 1). Dar- über wird eine ca. 50 nm dicke erste Stopschicht S1 aus Titan erzeugt.

Durch chemisch-mechanisches Polieren der ersten Stopschicht S1 selektiv zur ersten Metallschicht M1 werden außerhalb der ersten Vertiefung V1 angeordnete Teile der ersten Stopschicht S1 entfernt (siehe Figur 2).

Anschließend wird die erste Metallschicht M1 selektiv zur er- sten Hilfsschicht H1 und zur Stopschicht S1 durch chemisch mechanisches Polieren abgetragen, bis außerhalb der ersten Vertiefung V1 angeordnete Teile der ersten Metallschicht M1 entfernt werden (siehe Figur 3). Die strukturierte erste Me- tallschicht M1 und die strukturierte erste Stopschicht S1 sind innerhalb der ersten Vertiefung V1 angeordnet.

Auf der ersten Hilfsschicht H1 und der mit der ersten Stopschicht S1 bedeckten ersten Metallschicht M1 wird eine ca. 1,6 pm dicke zweite isolierende Schicht I2 aus Si02 er- zeugt (siehe Figur 4).

Darüber wird eine ca. 100nm dicke zweite Atzstopschicht A2 aus Siliziumnitrid erzeugt. Darüber wird eine 0,9um dicke

zweite Hilfsschicht H2 aus Si02 erzeugt, in der wie bei der ersten Hilfsschicht H1 eine zweite Vertiefung V2 erzeugt wird. Die zweite Vertiefung V2 ist wie die erste Vertiefung V1 ausgestaltet und ist direkt über der ersten Vertiefung V1 angeordnet.

Anschließend werden eine ca. 0.7 um dicke zweite Metall- schicht M2 aus Wolfram und darüber eine ca. 50nm dicke zweite Stopschicht S2 aus Titan erzeugt (siehe Figur 4). Die zweite Stopschicht S2 und die zweite Metallschicht M2 werden wie die erste Stopschicht S1 und die erste Metallschicht M1 durch chemisch-mechanisches Polieren strukturiert (siehe Figur 4).

Durch das beschriebene Verfahren wird ein akustischer Spiegel erzeugt, durch den aufgrund der ersten isolierenden Schicht I1, der ersten Metallschicht M1, der zweiten isolierenden Schicht I2 und der zweiten Metallschicht M2 akustische Wellen mit einer Frequenz von ca. 1, 8GHz bei senkrechtem Einfall auf das Substrat 1 besonders gut reflektiert werden können.

Bei einem zweiten Ausführungsbeispiel ist als Ausgangsmateri- al ein zweites Substrat 2 aus Silizium vorgesehen (siehe Fi- gur 5).

Auf dem zweiten Substrat 2 wird eine ca. 0,8 um dicke erste isolierende Schicht I1'aus SiO2 erzeugt.

Auf der ersten isolierenden Schicht I1'wird eine ca. 100nm dicke erste Atzstopschicht A1'aus Siliziumnitrid erzeugt.

Darüber wird eine ca. 2,7 um dicke erste Hilfsschicht H'aus Si02 erzeugt (siehe Figur 5).

Mit Hilfe einer ersten Photolackmaske (nicht dargestellt) wird die erste Hilfsschicht H'strukturiert. Dabei wird zu- nächst Si02 selektiv zur Siliziumnitrid geätzt, bis ein Teil dererstenAtzstopschichtA1'freigelegtwird.Anschließend wird der Teil der Atzstopschicht A1'entfernt. Dadurch wird

in der ersten Hilfsschicht H'eine erste Vertiefung V'er- zeugt, die bis zur ersten isolierenden Schicht I1'reicht und einen horizontalen Querschnitt aufweist, der quadratisch ist und eine Seitenlänge von ca. 200 um aufweist.

Anschließend wird eine ca. 0,7 lum dicke erste Metallschicht M1'aus Wolfram erzeugt. Darüber wird eine ca. 0,8 um dicke zweite isolierende Schicht 12'aus Si02 erzeugt. Darüber wird eine ca. 0,7 um dicke zweite Metallschicht M2'aus Wolfram erzeugt (siehe Figur 5).

Auf der zweiten Metallschicht M2'wird eine ca. 50 nm dicke erste Stopschicht S'aus Titan erzeugt.

Mit Hilfe einer zweiten Photolackmaske (nicht dargestellt) wird die erste Stopschicht S'so strukturiert, daß außerhalb der ersten Vertiefung V'angeordnete Teile der ersten Stopschicht S'entfernt werden (siehe Figur 5).

Anschließend werden die zweite Metallschicht M2', die zweite isolierende Schicht 12'und die erste Metallschicht M1'durch chemisch-mechanisches Polieren selektiv zur ersten Stopschicht S'und zur ersten Hilfsschicht H'abgetragen, bis außerhalb der ersten Vertiefung V'angeordnete Teile der zweiten Metallschicht M2', der zweiten isolierenden Schicht 12'und der ersten Metallschicht M1'entfernt werden (siehe Figur 6).

Anschließend wird eine ca. 0,8 um dicke dritte isolierende Schicht 13'aus Si02 erzeugt. Auf der dritten isolierenden Schicht 13'wird eine ca. 100nm dicke zweite Atzstopschicht A2'aus Siliziumnitrid erzeugt. Darüber wird eine ca. 0,9 pm dicke zweite Hilfsschicht H''aus Si02 erzeugt. Mit Hilfe ei- ner dritten Photolackmaske (nicht dargestellt) wird die zwei- te Hilfsschicht H''strukturiert. Dabei wird in der zweiten Hilfsschicht H''eine zweite Vertiefung V"erzeugt, die bis zur dritten isolierenden Schicht 13'reicht.

AnschlieBend wird eine ca. 0,7 m dicke dritte Metallschicht M3'aus Wolfram erzeugt. Auf der dritten Metallschicht M3' wird eine ca. 50 nm dicke zweite Stopschicht S''aus Titan erzeugt (siehe Figur 7). Mit Hilfe einer vierten Photolack- maske (nicht dargestellt) wird die zweite Stopschicht S''so strukturiert, daß außerhalb der zweiten Vertiefung V''ange- ordnete Teile der zweiten Stopschicht S''entfernt werden.

Anschließend wird die dritte Metallschicht M3'durch che- misch-mechanisches Polieren selektiv zur zweiten Stopschicht S''und zur zweiten Hilfsschicht H''abgetragen, bis außer- halb der zweiten Vertiefung V'angeordnete Teile der zweiten Metallschicht M3'entfernt werden (siehe Figur 7).

Durch dieses Verfahren wird ein akustischer Spiegel erzeugt, bei dem akustische Wellen durch die erste isolierende Schicht I1', die erste Metallschicht M1', die zweite isolierende Schicht I2', die zweite Metallschicht M2', die dritte isolie- rende Schicht 13'und die dritte Metallschicht M3'reflek- tiert werden.

Die erste Metallschicht M1'bedeckt Flanken und einen Boden der ersten Vertiefung V'ohne die erste Vertiefung V'aufzu- füllen.

Es sind viele Variationen der Ausführungsbeispiele denkbar, die ebenfalls im Rahmen der Erfindung liegen. Beispielsweise können Abmessungen der beschriebenen Schichten und Vertiefun- gen an die jeweiligen Erfordernisse angepaßt werden. Zum Re- flektieren von akustischen Wellen mit größeren bzw. kleineren Wellenlängen werden die Dicken der ersten isolierenden Schicht, der zweiten isolierenden Schicht, der ersten Metall- schicht und der zweiten Metallschicht größer bzw. kleiner ge- wählt. Zur besseren Reflektivität können mehr als zwei bzw. drei isolierende Schichten und zwei bzw. drei Metallschichten erzeugt werden. Die Stopschichten können nach dem chemisch mechanischen Polieren entfernt werden. Für die Metallschich- ten, die Hilfsschichten, die Stopschichten, die Atz- stopschichten und die isolierenden Schichten können auch an- dere Materialien gewählt werden.